《Ieee Transactions On Electron Devices》雜志拒稿后是可以轉投其他期刊的， 但需要注意以下幾點：

一、確認拒稿狀態：在轉投之前，作者必須確保文章確實已被《Ieee Transactions On Electron Devices》雜志拒稿。如果尚未收到明確的拒稿通知，建議耐心等待或主動向雜志社詢問審稿進度和結果。

二、修改論文：根據審稿意見修改論文，確保解決提出的問題，并改進論文的結構、方法、論證等方面。

三、轉刊操作建議

優先選擇同出版社期刊?：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.旗下其他工程技術雜志可能更易接收。?

選擇匹配度更高的期刊：參考JCR分區、影響因子、收稿方向，避免因“主題不符”再次被拒。

附修改說明?：轉投時建議提交針對前次拒稿意見的改進說明，提升通過率。

四、注意事項

避免一稿多投，保持耐心和信心。

《Ieee Transactions On Electron Devices》雜志概括

國際標準簡稱：IEEE T ELECTRON DEV

創刊時間：1954年

出版商：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

出版周期：Monthly

出版語言：English

出版地區：UNITED STATES

ISSN：0018-9383，E-ISSN：1557-9646

收錄數據庫：SCIE

學科領域：工程技術-工程：電子與電氣（PHYSICS, APPLIED）

期刊定位：專注于發表物理：應用領域的文章，旨在為研究人員提供該領域的最新研究成果和前沿動態。

《Ieee Transactions On Electron Devices》雜志審稿周期預計為： 約4.7個月 ，年發文量：約1084篇，H-index：165。

《Ieee Transactions On Electron Devices》雜志數據

（1）影響因子

該雜志的影響因子為2.9，在物理：應用領域具有較高的學術影響力。

（2）分區情況

中科院分區：

大類學科：工程技術2區。

小類學科：PHYSICS, APPLIED物理：應用2區。

JCR分區：

按JIF指標學科分區分區：Q2區; 按JCI指標學科分區分區：Q2區;

（3）CiteScore

CiteScore數值為5.8，（ 小類學科：PHYSICS, APPLIED，分區為Q2，百分位：72%。小類學科：PHYSICS, APPLIED，分區為Q2，百分位：71%。)

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