關于《Ieee Transactions On Electron Devices》雜志是否接受AI輔助的論文，目前并沒有明確的官方聲明指出該雜志絕對接受或拒絕AI輔助撰寫的論文，可能會根據具體情況進行逐案評估，作者在投稿前可以與雜志社進行溝通或咨詢在線客服。

SCI期刊對AI輔助論文的接受程度因期刊而異，以下是對SCI期刊接受AI輔助論文情況的詳細分析：

一、AI輔助論文的使用限制

禁止生成核心內容、禁止署名、保證數據完整性

二、AI輔助的用途

語言潤色，文獻綜述，圖表推薦

三、建議與策略

1.了解目標期刊政策：在投稿前，作者應仔細研究目標SCI期刊的政策和指南，了解其對AI輔助論文的態度和要求。

2.明確聲明AI使用情況：如果論文中使用了AI輔助技術，作者應在投稿時明確聲明，并提供詳細的AI使用說明和范圍。

3.保持學術誠信與原創性：作者應確保論文的核心內容和創新點是由自己獨立完成的，避免過度依賴AI生成的內容。

4.深度改寫與個性化處理：對AI生成的內容進行深度改寫和個性化處理，以體現個人的學術思考和見解。

《Ieee Transactions On Electron Devices》雜志創刊于1954年，國際標準簡稱為IEEE T ELECTRON DEV，ISSN號：0018-9383，E-ISSN號：1557-9646。

該雜志由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版，出版周期為Monthly，出版語言為English。作為一本專注于工程技術-工程：電子與電氣領域的學術期刊，它被國際權威數據庫SCIE收錄，在學術界具有較高的影響力。

《Ieee Transactions On Electron Devices》雜志中文名稱為：IEEE Transactions On Electron Devices。

《IEEE 電子器件學報》發表與電子和離子集成電路器件和互連的理論、建模、設計、性能和可靠性有關的原創和重要貢獻，涉及絕緣體、金屬、有機材料、微等離子體、半導體、量子效應結構、真空器件和新興材料，應用于生物電子學、生物醫學電子學、計算、通信、顯示器、微機電、成像、微致動器、納米電子學、光電子學、光伏、電源 IC 和微傳感器。還發表了關于這些主題的教程和評論論文，偶爾還會出版專刊，介紹一系列更深入、更廣泛地討論特定領域的論文。

分區情況：

在中科院最新升級版分區表中，該雜志在大類學科工程技術中位于2區，小類學科PHYSICS, APPLIED物理：應用中位于2區。

JCR分區信息按JIF指標學科分區，該雜志在ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC領域為Q2。

Cite Score數據顯示，CiteScore：5.8，SJR：0.785，SNIP：1.223

學科類別

大類：Engineering，小類：Electrical and Electronic Engineering，分區：Q2，排名：221 / 797，百分位：72%； 大類：Engineering，小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials，分區：Q2，排名：82 / 284，百分位：71%；

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