摘要：目的研究不同腦溫（亞低溫、常溫及高溫）對(duì)樹鼩局部腦缺血海馬CA1區(qū)內(nèi)皮細(xì)胞生長因子（vascular endothelial growth factor,VEGF）表達(dá)的影響,探討缺血時(shí)腦溫對(duì)VEGF表達(dá)的影響。方法建立光化學(xué)誘導(dǎo)樹鼩皮層腦缺血模型,于缺血后6h采用局部恒溫控溫裝置維持腦溫在亞低溫（31～32℃）、常溫（36～37℃）和高溫（39～40℃）三種不同溫度狀態(tài)持續(xù)1h。于缺血后24h及72h處死動(dòng)物,用免疫組化染色方法染色及圖像分析儀測定海馬CA1區(qū)VEGF表達(dá)的不同強(qiáng)度。結(jié)果局部腦缺血后海馬CA1區(qū)VEGF表達(dá)隨溫度的增加而減弱,亦隨時(shí)間的延長而減弱;其中以72h時(shí)31℃組VEGF的表達(dá)下降最為明顯（P〈0.01）。結(jié)論亞低溫后處理將在腦缺血的早期發(fā)揮腦保護(hù)作用,其腦保護(hù)作用可能與亞低溫能增強(qiáng)VEGF的表達(dá)有關(guān)。低溫腦保護(hù)的意義在于延長腦缺血治療時(shí)間窗。