摘要:采用對稱性匹配簇/組態(tài)相互作用(symmetryadaptedcluster—configurationinteraction,SAC-CI)方法,在6—311++g**基組水平上優(yōu)化了甲基乙烯基硅酮分子的前三個單激發(fā)態(tài)11A″,11A′,21A″的平衡幾何結(jié)構,比較三個激發(fā)態(tài)的電荷分布,最高占據(jù)軌道,最低空軌道,能隙等結(jié)構特性.研究發(fā)現(xiàn),11A’態(tài)能隙差最小,電子容易發(fā)生躍遷.計算了三個單重激發(fā)態(tài)相應的振動光譜,得出其振動模式.從甲基乙烯基硅酮分子激發(fā)態(tài)結(jié)構特性,電荷分布,極強位置振動模式等方面分析了其斷鍵機制.
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