摘要：GaAs芯片的使用性能受其散熱效果決定,而散熱主要依靠散熱墊塊與芯片連接的釬縫來決定。為增加釬縫的散熱效果和基體結合強度,文中分別在芯片層利用物理氣相沉積方法沉積Pd和Au膜,而在Cu/Mo/Cu散熱墊塊上沉積Ni和Au膜,采用AuSn20共晶釬料,研究保溫時間對釬焊縫組織和界面結合性能影響。研究結果表明:共晶結構主要由15~20μm厚的合金層和0.5~3μm厚的IMC層構成。隨著保溫時間延長,合金中Sn元素會逐漸被IMC層消耗,合金成分往富Au的(L+ζ′)相區遷移,相比例增加,保溫時間超過60 s后, IMC層厚度超過3.9μm,剪切力快速減小至89.67 N。