兩步生長法制備準有序氮化鎵納米線
宗楊; 宋文斌; 孫曉東; 王莉 大連東軟信息學院電子工程系; 遼寧大連116023
- 氮化鎵納米線
- 有序生長
- 催化劑
摘要：利用金屬有機物化學氣相沉積(MOCVD)方法制備準有序氮化鎵納米線。以帶有氮化鎵外延層(0001)的藍寶石(Al2O3)作為襯底,表面沉積鎳金(Ni/Au)薄膜作為催化劑,三甲基鎵(TMGa)和氨氣(NH3)作為氣體源由載氣通入反應室,在高溫條件下生長出GaN納米線。實驗結果表明,生長溫度影響納米線的表面形貌,在750℃可以生長出形貌較好的納米線。催化劑層的厚度影響納米線的生長模式和有序性。通過兩步生長法,可以制備出較為有序的氮化鎵納米線。
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