GaN基功率電子器件及其應用專輯特邀主編述評
劉揚; 楊旭 中山大學電子與信息學院; 西安交通大學電氣工程學院; 中山大學電力電子及控制技術研究所、廣東省第三代半導體GaN材料與器件工程技術研究中心; IEEE功率半導體器件及集成電路國際會議(ISPSD)技術程序委員會; IEEE電子器件學會(EDS)功率器件與集成電路委員會、中國電源學會、中國電源學會元器件專委會、中國電工學會電力電子分會、中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業委員會; 中國電工技術學會電力電子技術專委會、電氣節能專委會; 中國電源學會直流電源專委會
- 氮化鎵
- 功率電子器件
- 功率密度
- 通態電阻
- 開關損耗
摘要：GaN基功率電子器件因其具有開關速度快、開關頻率高、工作結溫高、通態電阻小、開關損耗低等優勢,適合應用于新型高效、大功率等的電力電子系統。國內關于GaN基功率電子器件的研究已經取得了較為明顯的進展,但與發達國家相比仍有一定的差距。為此,《電源學報》特別推出了“GaN基功率電子器件及其應用”專輯,基本涵蓋GaN功率電子器件及其應用研究的熱點問題,展示了不同研究機構和企業在該領域的研發現狀,具有良好的學術研究和應用參考價值。
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